ВВЕДЕНИЕ ........................................................ 5

Глава 1  СИНТЕЗ И СТРОЕНИЕ high-k-ДИЭЛЕКТРИКОВ НА ОСНОВЕ 
ОКСИДА ГАФНИЯ (Т.П. Смирнова, И.К. Игуменов, Н.Б. Морозова,
В.В. Каичев) .................................................... 9
1.1  MOCVD-метод формирования слоев диэлектриков с высокой
     диэлектрической константой на основе диоксида гафния ....... -
1.2  Требования к прекурсорам. Основные прекурсоры гафния, 
     используемые в процессах MOCVD ............................. -
1.3  Химия прекурсоров гафния(IV) и алюминия(III) .............. 12
1.4  Строение high-k-диэлектриков на основе оксида гафния ...... 21
Литература к главе 1 ........................................... 38

Глава 2  ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА ВАКАНСИИ КИСЛОРОДА В high-k-
ДИЭЛЕКТРИКАХ (М.В. Иванов, Т.В. Перевалов, В.В. Каичев,
В.А. Гриценко) ................................................. 43
2.1  Электронная структура вакансии кислорода в А12O3 .......... 44
2.2  Электронная структура вакансии кислорода в НfО2 ........... 46
2.3  Электронная структура вакансии кислорода в ТiО2 ........... 47
2.4  Электронная структура вакансии кислорода в Та2О5 .......... 49
Литература к главе 2 ........................................... 51

Глава 3  ЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ high-k-ДИЭЛЕКТРИКОВ
(А.А. Расторгуев, А.П. Елисеев, В.Н. Снытников, 
В.А. Пустоваров, В.О. Стояновский) ............................. 54
3.1  Фотолюминесценция собственных и примесных дефектов
     в аморфных пленках Al2О3/Si ............................... --
3.2  Фотолюминесценция в пленках Al2О3/Si при ее возбуждении
     ArF-лазером ............................................... 65
3.3  Спектры комбинационного рассеяния пленок Al2О3/Si ......... 67
3.4  Исследование электронной структуры пленок НfО2 ............ 77
3.5  Двойные оксиды (НfО2)1-x(Al2О3)x ........................... 85
Литература к главе 3 ........................................... 89

Глава 4  ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА ОКСИДА, ОКСИНИТРИДА И НИТРИДА 
КРЕМНИЯ (С.С. Некрашевич, А.Н. Сорокин, А.А. Карпушин,
А.В. Шапошников, В.А. Гриценко) ................................ 93
4.1  Электронная структура оксида кремния ...................... --
4.2  Электронная структура оксинитрида кремния ................. 94
4.3  Электронная структура нестехиометрических оксидов и
     нитридов кремния .......................................... 99
Литература к главе 4 .......................................... 106

Глава 5 МЕХАНИЗМЫ ПЕРЕНОСА ЗАРЯДА В ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЕНКАХ
(В.А. Гриценко) ............................................... 107
5.1  Важность понимания механизмов переноса электронов и 
     дырок в диэлектриках кремниевых приборов ................. ---
5.2  Двузонная проводимость диэлектриков ...................... 112
5.3  Контактноограниченные механизмы инжекции электронов и
     дырок .................................................... 133
5.4  Объемноограниченные механизмы проводимости ............... 136
5.5  Монополярная электронная проводимость А12О3 .............. 140
5.6  Двузонная проводимость Si3N4.............................. 142
Литература к главе 5 .......................................... 145

Глава 6  ОПТИМИЗАЦИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОНИЦАЕМОСТИ 
БЛОКИРУЮЩЕГО ДИЭЛЕКТРИКА В ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМОЙ ПАМЯТИ, 
ОСНОВАННОЙ НА НИТРИДЕ КРЕМНИЯ (Ю.Н. Новиков, 
В.А. Гриценко, К.А. Насыров) .................................. 150
6.1  Модель ................................................... ---
6.2  Оптимизация блокирующего диэлектрика ..................... 152
Литература к главе 6 .......................................... 154