Библиография трудов чл.-кор. РАН К.К.Свиташева за 1959-1977 гг.
 Навигация
 
 

Свиташев К.К.




     *библиография + база данных
     *жизнь и деятельность
     *избранные труды



 Научные школы ННЦ
 

БИБЛИОГРАФИЯ ТРУДОВ 1959-1977 1978-1986 с 1987 года ИЗОБРЕТЕНИЯ
 
1959 | 1960 | 1966 | 1967 | 1968 | 1969 | 1970 | 1971 | 1972 | 1973 | 1974 | 1975 | 1976 | 1977

  1. Ермолаев В.Л. Квантовые выходы фосфоресценции и флуоресценции некоторых 1-производных нафталина в растворах при -196 °C / В.Л.Ермолаев, К.К.Свиташев // Оптика и спектроскопия. - 1959. - Т.7, N 5. - С.664-667. - Библиогр.: 10 назв.

  2. Ермолаев В.Л. Внутренняя конверсия с флуоресцентного на фосфоресцентный уровень в производных нафталина / В.Л.Ермолаев, И.П.Котляр, К.К.Свиташев // Известия Академии наук СССР. Серия физическая. - 1960. - Т.24, N 5. - С.492-495. - Библиогр.: 8 назв.

  3. Иccледование поверхностной фотопроводимости германия / А.В.Ржанов, К.К.Свиташев, Е.С.Филатова, В.М.Шепель // Физика твердого тела. - 1966. - Т.8, N 3. - С.758-766. - Библиогр.: 8 назв.

  4. Ржанов А.В. О влиянии захвата неравновесных носителей заряда поверхностными дефектами на спектр собственной фотопроводимости тонкого образца германия / А.В.Ржанов, К.К.Свиташев, В.М.Шепель // Физика твердого тела. - 1966. - Т.8, N 6. - С.1955-1957. - Библиогр.: 3 назв.

  5. Ржанов А.В. Спектры гашения фотопроводимости тонкого образца германия при 77 °К / А.В.Ржанов, К.К.Свиташев, В.М.Шепель // Физика твердого тела. - 1966. - Т.8, N 9. - С.2777-2779. - Библиогр.: 5 назв.

  6. Свиташев К.К. Исследование примесной поверхностной фотопроводимости германия: диссертация ... канд. физ.-мат. наук / К.К.Свиташев. - Новосибирск, 1966. - 273 с.: ил.

  7. Свиташев К.К. Исследование примесной поверхностной фотопроводимости германия: автореферат дис. ... кан. физ.-мат. наук / К.К.Свиташев; Академия наук СССР, Сибирское отделение, Совет физической секции Объединенного ученого совета по физико-математическим и техническим наукам. - Новосибирск: [б. и.], 1966. - [3], 15 с.

  8. Investigation of the surface photoconductivity of germanium / A.V.Rzhanov, K.K.Svitashev, E.S.Filatova, V.M.Shepel // Soviet Physics - Solid State. - 1966. - Vol.8, N 3. - P.607-613. - Bibliogr.: 8 ref.

  9. Rzhanov A.V. Influence of nonequilibrium-charge-carrier capture by surface defects on intrinsic-photoconductivity spectrum of a thin germanium sample / A.V.Rzhanov, K.K.Svitashev, V.M.Shepel // Soviet Physics - Solid State. - 1966. - Vol.8, N 6. - С.1552-1554.

  10. Ржанов А.В. Измерение фото-ЭДС Холла на тонких образцах германия / А.В.Ржанов, К.К.Свиташев, В.Г.Панькин // Физика и техника полупроводников. - 1967. - Т.1, N 4. - С.526-534. - Библиогр.: 17 назв.

  11. Rzhanov A.V. Measurements of the Hall photo-EMF in thin samples of germanium / A.V.Rzhanov, K.K.Svitashev, V.G.Pankin // Soviet Physics - Semiconductors. - 1967. - Vol.1, N 4. - P.437-443. - Bibliogr.: 17 ref.

  12. Rzhanov A.V. Photoconductivity quenching spectra of a thin sample of germanium at 77 °K / A.V.Rzhanov, K.K.Svitashev, V.M.Shepel // Soviet Physics - Solid State. - 1967. - N 3. - P.2216-2218. - Bibliogr.: 5 ref.

  13. Ржанов А.В. Спектр примесей поверхностной фотопроводимости тонкого образца германия n-типа / А.В.Ржанов, К.К.Свиташев // Физика и техника полупроводников. - 1968. - Т.2, N 5. - С.739-741. - Библиогр.: 7 назв.

  14. Rzhanov A.V. Extrinsic surface photoconductivity spectrum of a thin n-type germanium sample / A.V.Rzhanov, K.K.Svitashev // Soviet Physics - Semiconductors. - 1968. - Vol.2, N 5. - P.613-614. - Bibliogr.: 7 ref.

  15. Ковалевская Т.И. Спектроскопическое исследование структуры реальной поверхности германия / Т.И.Ковалевская, К.К.Свиташев // Физика и техника полупроводников. - 1969. - Т.3, N 6. - С.799-802. - Библиогр.: 12 назв.

  16. Панькин В.Г. Фотоэлектрические явления на границе между монокристаллическими блоками германия / В.Г.Панькин, А.В.Ржанов, К.К.Свиташев // III всесоюзный симпозиум по электронным процессам на поверхности и в тонких монокристаллических слоях полупроводников: тезисы докладов (23-27 июня 1969 г.). - Новосибирск, 1969. - С.39.

  17.  *  Балабанов С. Фотоволтаичен ефект с променлив знак на контакте между монокристален германий и златен электрод / С.Балабанов, К.Свиташев // Известия на Физическия Институт с АНЕБ. - 1969. - N 19. - С.5-18.

  18. Панькин В.Г. О некоторых особенностях спектрального распределения фотопроводимости германия в области собственного поглощения / В.Г.Панькин, А.В.Ржанов, К.К.Свиташев // Физика и техника полупроводников. - 1970. - Т.4, N 4. - С.679-684. - Библиогр.: 14 назв.

  19. Pankin V.G. Some features of the photoconductivity spectrum of germanium in the fundamental absorption region / V.G.Pankin, A.V. Rzhanov, K.K.Svitashev // Soviet Physics - Semiconductors. - 1970. - Vol.4, N 4.- P.575-579.

  20. Исследование границы раздела германий - пленка термической двуокиси германия / В.Н.Дроздов, Т.И.Ковалевская, А.В.Ржанов, К.К.Свиташев // IV всесоюзное совещание по электронным явлениям на поверхности полупроводников: тезисы докладов (Киев, 26-28 октябрь 1971 г.). - Киев, 1971. - С.44.

  21. Исследование структуры переходного слоя в системе германий - пленка двуокиси кремния методом ИК спектроскопии МНПВО / Т.И.Ковалевская, С.Н.Нестерова, А.В.Ржанов, К.К.Свиташев // Физика и техника полупроводников. - 1971. - Т.5, N 9. - С.1720-1724. - Библиогр.: 12 назв.

  22. Об использовании сходящегося пучка света при эллипсометрических измерениях / К.К.Свиташев, А.И.Семененко, Л.В.Семененко, В.К.Соколов // Оптика и спектроскопия. - 1971. - Т.30, N 3. - С.532-538. - Библиогр.: 7 назв.

  23. Use of a convergent light beam for ellipsometric measurements / K.K.Svitashev, A.I.Semenenko, L.V.Semenenko, V.K.Sokolov // Optics and Spectroscopy. - 1971. - Vol.30, N 3. - P.288-291.

  24. Измерение толщины эпитаксиальных слоев кремния методом эллипсометрии в далекой инфракрасной области спектра / В.И.Мишнев, К.К.Свиташев, А.И.Семененко, Л.В.Семененко, В.К.Соколов, О.Г.Сухоруков // Микроэлектроника. - 1972. - Т.1, N 2. - С.152-155.

  25. О точности и чувствительности метода эллипсометрии. I. Точность метода / К.К.Свиташев, А.И.Семененко, Л.В.Семененко, В.К.Соколов // Оптика и спектроскопия. - 1972. - Т.33, N 4. - С.742-747. - Библиогр.: 6 назв.

  26. Об измерении параметров тонких двухслойных диэлектрических пленок на полупроводниковых подложках эллипсометрическим методом / К.К.Свиташев, А.И.Семененко, Л.В.Семененко, В.К.Соколов // Оптика и спектроскопия. - 1972. - Т.32, N 5. - С.1020-1026. - Библиогр.: 13 назв.

  27. Свиташев К.К. О системах Si-SiO2 и Ge-GeO2: препринт доклада / К.К.Свиташев. - [Новосибирск]: [б. и.], 1972. - 10 с. - (Препринты докладов / Институт физики полупроводников Сибирского отделения АН СССР. Всесоюзный семинар «Физическая химия поверхности монокристаллическиих полупроводников», Новосибирск 2-6 октября 1972; 27).

  28. Семененко Л.В. Оптический поляризационный метод исследования поверхности полупроводников / Л.В.Семененко, К.К.Свиташев, А.И.Семененко // Некоторые проблемы физики и химии поверхности полупроводников. - Новосибирск: Наука, 1972. - С.114-180. - Библиогр.: 66 назв.

  29. Эллипсометрия поглощающих пленок / Л.В.Семененко, К.К.Свиташев, А.И.Семененко, В.К.Соколов // Оптика и спектроскопия. - 1972. - Т.32, N 6. - С.1204-1210. - Библиогр.: 11 назв.

  30. Accuracy and sensitivity of the ellipsometric method. I. Accuracy of the method / K.K.Svitashev, A.I.Semenenko, L.V.Semenenko, V.K.Sokoliv // Optics and Spectroscopy. - 1972. - Vol.33, N 4. - P.408-411.

  31. Ellipsometry of absorbing films / L.V.Semenenko, K.K.Svitashev, A.I.Semenenko, V.K.Sokolov // Optics and Spectroscopy. - 1972. - Vol.32, N 6. - P.655-658.

  32. Investigation of the structure of a transition layer, formed in an SiO2 film deposited on Ge, by the infrared spectroscopic method of multiple frustrated total internal reflection / T.I.Kovalevskaya, S.N.Nesterova, A.V.Rzhanov, K.K.Svitashev // Soviet Physics - Semiconductors. - 1972. - Vol.5, N 9. - P.1504-1507.

  33. Measurements of the parameters of two-layer dielectric thin films on semiconductor substrates using an ellipsometric method / K.K.Svitashev, A.I.Semenenko, L.V.Semenenko, V.K.Sokolov // Optics and Spectroscopy. - 1972. - Vol.32, N 5. - P.547-550.

  34. К вопросу об измерении толщины эпитаксиальных полупроводниковых пленок на полупроводниковых подложках методом эллипсометрии в далекой инфракрасной области спектра / К.К.Свиташев, А.И.Семененко, Л.В.Семененко, В.К.Соколов, О.Г.Сухоруков // Микроэлектроника. - 1973. - Т.2, N 5. - С.454-460. - Библиогр.: 15 назв.

  35. Курындина Н.К. Конденсаторная фотоэдс в системе Si-SiO2 / Н.К.Курындина, К.К.Свиташев // Физика и техника полупроводников. - 1973. - Т.7, N 7. - С.1452.

  36. Свиташев К. Луч света исследует поверхность материала / К.Свиташев // За науку в Сибири. - 1973. - 16 мая (N 19). - C.4-5.

  37. Свиташев К.К. Эллипсометрия тонкопленочных систем на основе полупроводниковых и диэлектрических материалов: диссертация ... д-ра физ.-мат. наук / К.К.Свиташев. - Новосибирск, 1973. - 483 с.: ил.

  38. Физико-химические и электрофизические свойства системы германий - термическая двуокись германия. I. Кинетика роста и структура пленок термической двуокиси германия / В.Н.Дроздов, Т.И.Ковалевская, А.В.Ржанов, К.К.Свиташев // Микроэлектроника. - 1973. - Т.2, N 1. - С.46-52. - Библиогр.: 20 назв.

  39. Физико-химические и электрофизические свойства системы германий - термическая двуокись германия. II. Электрофизические параметры системы Ge-GeO2 / В.Н.Дроздов, Т.И.Ковалевская, А.В.Ржанов, К.К.Свиташев // Микроэлектроника. - 1973. - Т.2, N 2. - С.154-158. - Библиогр.: 17 назв.

  40. Эллипсометрия на основе сходящегося пучка света / К.К.Свиташев, А.И.Семененко, Л.В.Семененко, В.К.Соколов // Оптика и спектроскопия. - 1973. - Т.34, N 5. - С.941-946. - Библиогр.: 2 назв.

  41. Ellipsometry based on a convergent light beam / K.K.Svitashev, A.I.Semenenko, L.V.Semenenko, V.K.Sokolov // Optics and Spectroscopy. - 1973. - Vol.34, N 5. - P.542-544.

  42. Свиташев К.К. Эллипсометрия тонкопленочных систем на основе полупроводниковых и диэлектрических материалов: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук / К.К.Свиташев; Академия наук СССР, Сибирское отделдение, Совет секции общей и прикладной физики Объединенного ученого совета по физико-математическим и техническим наукам. - Новосибирск: [б. и.], 1974. - 47 с.

  43. Физико-химические и электрофизические свойства системы германий - пиролитическая двуокись кремния / Т.И.Ковалевская, В.Н.Дроздов, А.В.Ржанов, К.К.Свиташев // Микроэлектроника. - 1974. - Т.3, N 5. - С.404-412. - Библиогр.: 17 назв.

  44. Эллипсометрия неоднородных поверхностных пленок / Л.Л.Васильева, К.К.Свиташев, А.И.Семененко, Л.В.Семененко, В.К.Соколов // Оптика и спектроскопия. - 1974. - Т.37, N 3. - С.574-581. - Библиогр.: 7 назв.

  45. Ellipsometry of inhomogeneous surface films / L.L.Vasileva, K.K.Svitashev, A.I.Semenenko, L.V.Semenenko, V.K.Sokolov // Optics and Spectroscopy. - 1974. - Vol.37, N 3. - P.325-328.

  46. Применение эллипсометрии для измерения толщин диэлектрических пленок на отдельных элементах интегральных микросхем / А.П.Анциферов, В.Г.Панькин, К.К.Свиташев, В.В.Шашкин, В.Л.Шварц // Микроэлектроника. - 1975. - Т.4, N 3. - С.273-275. - Библиогр.: 3 назв.

  47. Температурная зависимость оптических характеристик германия для λ=6328 Å / М.Р.Бакланов, К.К.Свиташев, Л.В.Семененко, В.К.Соколов // Оптика и спектроскопия. - 1975. - Т.39, N 2. - С.362-366. - Библиогр.: 10 назв.

  48. Эллипсометрические методы контроля в микроэлектронике / Ржанов А.В., К.К.Свиташев, А.И.Семененко, Л.В.Семененко, В.К.Соколов // Микроэлектроника. - 1975. - Т.4, N 1. - С.3-23. - Библиогр.: 69 назв.

  49.  *  On the problem of measurement of thickness of epitaxial semiconductor films on semiconductor substrates by the ellipsometric method in the far infrared region / K.K.Svitashev, A.I.Semenenko, L.V.Semenenko, V.K.Sokolov, O.G.Sukhorukov // Vacuum. - 1975. - Vol.25, N 1. - P.40-46. - Bibliogr.: 15 ref.

  50. Temperature dependence of the optical characteristics of germanium at 6328 Å / M.R.Baklanov, K.K.Svitashev, L.V.Semenenko, V.K.Sokolov // Optics and Spectroscopy. - 1975. - Vol.39, N 2. - P.205-207. - Bibliogr.: 10 ref.

  51. Кинетика образования слоев SiO2 при окислении силана кислородом / Л.Л.Васильева, В.Н.Дроздов, С.М.Репинский, К.К.Свиташев // Микроэлектроника. - 1976. - Т.5, N 5. - С.448-453. - Библиогр.: 9 назв.

  52. Свиташев К.К. Общее выражение для интенсивности рабочего светового пучка на выходе идеального эллипсометра / К.К.Свиташев, Е.С.Филатова // Оптика и спектроскопия. - 1976. - Т.40, N 6. - С.1064-1068. - Библиогр.: 6 назв.

  53. Система автоматизации эллипсометрических измерений / Ю.А.Блюмкина, Ю.Б.Алгазин, А.В.Архипенко, К.К.Свиташев, С.А.Степанов // Оптика и спектроскопия. - 1976. - Т.40, N 3. - С.596-599. - Библиогр.: 13 назв.

  54. Ellipsometric study of the interaction of a germanium monocrystal with bromine [pdf 203,2 Kb] / M.R.Baklanov, Y.B.Algazin, N.I.Grebnev, Repinskii, K.K.Svitashev // Reaction Kinetics and Catalysis Letters. - 1976. - Vol.4, N 3. - P.413-418. - BibliS.M.ogr.: 10 ref.

  55. The kinetics of the formation of SiO2 layers during the oxidation of silane by oxygen // L.L.Vasil'eva, V.N.Drozdov, S.M.Repinskii, K.K.Svitashev // Soviet Microelectronics. - 1976. - Vol.5, N 35. - P.358-362.

  56. Svitashev K.K. General expression for the intensity of the working light beam at the exit of an ideal ellipsometer / K.K.Svitashev, E.S.Filatova // Optics and Spectroscopy. - 1976. - Vol.40, N 6. - P.612-614. - Bibliogr.: 6 ref.

  57. System for automating ellipsometric measurements / Yu.A.Blyumkina, Yu.B.Algazin, A.V.Arkhipenko, K.K.Svitashev, S.A.Stepanov // Optics and Spectroscopy. - 1976. - Vol.40, N 3. - P.339-340. - Bibliogr.: 13 ref.

  58. Изменение оптических свойств пленок нитрида, оксинитрида и окисла кремния при облучении ионами / Н.Н.Герасименко, Т.И.Ковалевская, В.Г.Панькин, К.К.Свиташев, Г.М.Цейтлин // Журнал прикладной спектроскопии. - 1977. - Т.26, N 1. - С.164-166. - Библиогр.: 7 назв.

  59. Исследование волноводных структур, полученных облучением плавленого кварца ионами водорода / Н.Н.Герасименко, В.Г.Панькин, К.К.Свиташев, С.А.Соколов, Г.М.Цейтлин // Квантовая электроника. - 1977. - Т.4, N 6. - С.1372-1375. - Библиогр.: 11 назв.

  60. Исследование и анализ рабочих характеристик автоматизированной эллипсометрической установки / Ю.Б.Алгазин, А.В.Архипенко, М.Р.Бакланов, Ю.А.Блюмкина, К.К.Свиташев, Л.В.Семененко, С.А.Степанов // Оптика и спектроскопия. - 1977. - Т.43, N 1. - С.168-175. - Библиогр.: 20 назв.

  61. Исследование эпитаксиальных слоев кремния на лазерном ИК-эллипсометре / К.К.Свиташев, Л.В.Семененко, А.Г.Шаршунов, А.И.Феоктистов // Микроэлектроника. - 1977. - Т.6, N 3 - С.258-262. - Библиогр.: 10 назв.

  62. К вопросу определения оптических постоянных материалов методом эллипсометрии в далекой ИК-области спектра / А.С.Мардежов, К.К.Свиташев, А.И.Семененко, Л.В.Семененко, В.К.Соколов // Микроэлектроника. - 1977. - Т.6, N 5. - С.427-436. - Библиогр.: 16 назв.

  63. К теории модуляционной эллипсометрии / А.В.Архипенко, Ю.А.Блюмкина, А.В.Ржанов, К.К.Свиташев // Доклады Академии наук СССР. - 1977. - Т.235, вып.2. - C.323-326.

  64. О точности и чувствительности метода эллипсометрии. II. Чувствительность метода / К.К.Свиташев, А.И.Семененко, Л.В.Семененко, В.К.Соколов, Е.С.Филатова // Оптика и спектроскопия. - 1977. - Т.42, N 6. - С.1142-1147. - Библиогр.: 11 назв.

  65. Поведение оптических постоянных и электрические свойства тонких пленок VaO2 вблизи фазового перехода / Л.А.Береснева, Л.Л.Васильева, С.Ф.Девятова, В.Г.Панькин, К.К.Свиташев, Н.Л.Шварц // Журнал технической физики. Письма в редакцию. - 1977. - Т.3, N 9. - С.420-424. - Библиогр.: 10 назв.

  66. Электронные процессы на границе раздела полупроводник - диэлектрик и в структурах металл - диэлектрик - полупроводник / А.В.Ржанов, Р.С.Нахмансон, И.Г.Неизвестный, В.Н.Овсюк, С.В.Покровская, С.М.Репинский, К.К.Свиташев, С.П.Синица, М.П.Синюков, А.А.Французов, А.Чаплик // Фундаментальные исследования: Физико-математические и технические науки: сборник статей / ответственный редактор Г.И.Марчук. - Новосибирск: Наука, 1977. - С.144-152. - (Сибирское отделение Академии наук СССР за 20 лет). - Библиогр.: 15 назв.

  67. Эллипсометрические измерения на шероховатых поверхностях германия и кремния / К.К.Свиташев, А.И.Семененко, Л.В.Семененко, Н.Л.Шварц // Оптика и спектроскопия. - 1977. - Т.43, N 1. - С.161-167. - Библиогр.: 9 назв.

  68. Accuracy and sensitivity of the ellipsometry method. 2: Sensitivity of the method / K.K.Svitashev, A.I.Semenenko, L.V.Semenenko, V.K.Sokolov, E.S.Filatova // Optics and Spectroscopy. - 1977. - Vol.42, N 6. - P.657-660. - Bibliogr.: 11 ref.

  69. Changes in the optical properties of films of silicon nitride, silicon oxinitride, and silicon oxide upon ion irradiation [pdf 201,7 Kb] / N.N.Gerasimenko, T.I.Kovalevskaya, V.G.Pan'kin, K.K.Svitashev, G.M.Tseitlin // Journal of Applied Spectroscopy. - 1977. - Vol.26, N 1. - P.129-131. - Bibliogr.: 7 ref.

  70. Determination of the optical constants of materials by ellipsometry in the far-infrared region of the spectrum [semiconductor thickness measurement] / A.S.Mardezhov, K.K.Svitashev, A.I.Semenenko, L.V.Semenenko, V.K.Sokolov // Soviet Microelectronics. - 1977. - Vol.6, N 5, - P.321-329.

  71. Ellipsometric measurements on rough germanium and silicon surfaces / K.K.Svitashev, A.I.Semenenko, L.V.Semenenko, N.L.Shvarts // Optics and Spectroscopy. - 1977. - Vol.43, N 1. - P.88-91. - Bibliogr.: 9 ref.

  72. Investigation of silicon epitaxial films using an infrared laser ellipsometer / K.K.Svitashev, L.V.Semenenko, A.G.Sharshunov, A.I.Feoktistov // Soviet Microelectronics. - 1977. - Vol.6, N 13. - P.195-198.

  73. Investigation of waveguide structures formed by irradiation of fused quartz with hydrogen ions / N.N.Gerasimenko, V.G.Pan'kin, K.K.Svitashev, S.A.Sokolov, G.M.Tseitlin // Quantum Electronics. - 1977. - Vol.7, N 6. - P.778-780.

  74. Performance characteristics of an automated ellipsometric device: study and analysis / Yu.B.Algazin, A.V.Arkhipenko, M.R.Baklanov, Yu.A.Blyumkina, K.K.Svitashev, L.V.Semenenko, S.A.Stepanov // Optics and Spectroscopy. - 1977. - Vol.43, N 1. - P.92-96. - Bibliogr.: 20 ref.

  75. Theory of modulation ellipsometry / A.V.Arkhipenko, Yu.A.Blyumkina, A.V.Rzhanov, K.K.Svitashev // Soviet Physics Doklady. - 1977. - Vol.22. - P.402-404.

  76. Ред.: Эллипсометрия: библиографический указатель отечественной и иностранной литературы за 1950-1976 гг. / составители: Е.Д.Волошкевич, О.Ф.Лебедева; научный редактор К.К.Свиташев; Академия наук СССР, Сибирское отделение, Институт физики полупроводников. - Новосибирск: Наука, 1977. - 132 с.
 
 ПродолжениеПродолжение1978-1986 гг.
 * Записи, помеченные "звездочкой", не удалось просмотреть de visu  
 

Научные школы ННЦ К.К.Свиташев | Литература о жизни и деятельностиПодготовили Зоя Вахрамеева и Сергей Канн  
  

[Начало | О библиотеке | Академгородок | Новости | Выставки | Ресурсы | Партнеры | ИнфоЛоция | Поиск | English]
В 2004-2006 гг. проект поддерживался грантом РФФИ N 04-07-90121
 
© 2004-2024 Отделение ГПНТБ СО РАН
Документ изменен: Thu Dec 9 13:02:05 2021. Размер: 38,328 bytes.
Посещение N 5866 с 13.02.2007