ПРЕДИСЛОВИЕ ................................................... 3 РЖАНОВ А.В. «О СОБЫТИЯХ, ФАКТАХ, ЛЮДЯХ» ....................... 5 ИЗБРАННЫЕ НАУЧНЫЕ ТРУДЫ А.В.РЖАНОВА Ржанов А.В. Титанат бария - новый сегнетоэлектрик ........... 123 Ржанов А.В. Современные взгляды на природу выпрямления кристаллических детекторов ................................ 149 Ржанов А.В. Поверхностная рекомбинация и ее влияние на характеристики полупроводниковых приборов ................. 173 Ржанов А.В., Неизвестный И.Г. и Росляков В.В. Исследования поверхностной проводимости и поверхностной рекомбинации в образцах германия ......................................... 182 Ржанов А.В., Новотоцкий-Власов Ю.Ф. и Неизвестный И.Г. Исследование эффекта поля и поверхностной рекомбинации в образцах германия ......................................... 197 Ржанов А.В. О применимости метода стационарной фотопроводимости для исследования зависимости скорости поверхностной рекомбинации от поверхностного потенциала ... 209 Ржанов A.В. Статистика рекомбинации при захвате носителей заряда возбужденными состояниями центра рекомбинации ...... 218 Овсюк B.Н. и Ржанов А.В. О квазинепрерывном спектре уровней в запрещенной зоне на поверхности полупроводника .......... 226 Ржанов А.В. Характер энергетического спектра поверхностных состояний и кинетика импульсного эффекта поля ............. 229 Гузев А.А., Курышев Г.Л., Ржанов А.В. Исследование процессов захвата носителей заряда в МНОП-структурах с туннельно- тонким слоем двуокиси кремния ............................. 238 Александров Л.Н., Ржанов А.В. Получение и изучение свойств полупроводниковых пленок .................................. 244 Ржанов А.В., Стенин С.И. Молекулярная эпитаксия: состояние вопроса, проблемы и перспективы развития .................. 269 Бородовский П.А., Ржанов А.В. Пути создания интегральных схем СВЧ-диапазона ........................................ 297 Гиновкер А.С., Ржанов А.В., Синица С.П. Запоминающие устройства на основе МНОП (металл - нитрид - окисел - полупроводник) - структур ................................. 312 Ржанов А.В., Свиташев К.К., Семененко А.И., Семененко Л.В., Соколов В.К. Эллипсометрические методы контроля в микроэлектронике .......................................... 327 Квон Зе Дон, Неизвестный И.Г., ОвсюкВ.Н., Ржанов А.В. Германиевый МДП-транзистор ................................ 350 Ржанов А.В., Стенин С.И., Ольшанецкий Б.3. Методы контроля состояния поверхности и проблемы эпитаксии из молекулярных пучков .................................................... 355 Ржанов А.В., Свиташев К.К. Полупроводниковая микроэлектроника и технический прогресс [pdf 680 Kb] ......... 366 Латышев А.В., Асеев А.Л., Красильников А.Б., Ржанов А.В., Стенин С.И. Поведение моноатомных ступеней на поверхности кремния (111) при сублимации в условиях нагрева электрическим током ....................................... 381 ПУБЛИЦИСТИКА Духовная зарядка ученого .................................... 387 Совместительство - расточительность или экономия? ........... 392 Ученый и технический прогресс ............................... 397 Перевоспитывать! ............................................ 399 Требуется уточнить предмет и понятие информатики ............ 401 Сколько можно отставать ..................................... 403 ГОВОРЯТ ДРУЗЬЯ И КОЛЛЕГИ Неизвестный И.Г. Ученый - учитель - солдат .................. 406 Богданов С.В. Рядом с другом ................................ 413 Смирнов Л.С. Всегда вместе .................................. 435