Предисловие ................................................... 6 Глава I. Феноменологическое описание поверхности полупроводника ............................................. 11 § 1. Реальная поверхностьполупроводника и поверхностные состояния электронов .................................. 11 § 2. Приповерхностный слой пространственного заряда ........ 21 § 3. Поверхностный потенциальный барьер и работа выхода .... 30 § 4. Емкость приповерхностного слоя пространственного, заряда и поверхностная фото-ЭДС ....................... 41 § 5. Приповерхностные избытки носителей заряда и поверхностная проводимость .......................... 53 § 6. Поверхностный захват и рекомбинация в стационарных условиях ............................... 62 а) Предварительные замечания ............................. 62 б) Захват носителей заряда на уровни поверхностных центров 69 в) Поверхностная рекомбинация в простейших случаях ....... 79 г) Поверхностный захват и рекомбинация посредством систем поверхностных центров .......................... 94 д) Поверхностный захват и рекомбинация посредством центров сложного строения ............................. 99 е) Стационарная фотопроводимость тонкой пластины полупроводника, и понятие эффективного времени жизни избыточных носителей заряда .................... 115 § 7. Влияние поверхностных центров на релаксационные процессы в полупроводниках ......... 119 а) Общее качественное рассмотрение вопроса .............. 119 б) Кинетика процессов взаимодействия поверхностных центров захвата с носителями заряда одной из зон полупроводника ....................................... 128 в) Релаксация избыточной проводимости в тонком образце полупроводника при пренебрежении явлениями захвата .. 139 Заключение ........................................... 145 Глава II. Экспериментальные методы исследования поверхностных электронных процессов ....................... 148 § 8. Введение ............................................. 148 § 9. Измерение поверхностного электростатического потенциала ........................................... 155 а) Метод поверхностной фото-ЭДС ......................... 156 б) Метод поверхностной проводимости ..................... 162 в) Метод квазиравновесного эффекта поля ................. 168 §10. Исследование захвата носителей заряда на поверхности методом поверхностной емкости ......... 183 §11. Измерение скорости поверхностной рекомбинации ........ 187 а) Методы, основанные на измерении эффективного времени жизни избыточных носителей заряда в образце полупроводника ....................................... 187 б) Метод, основанный на исследовании спектральной зависимости фотопроводимости ......................... 191 в) Метод, использующий фотогальваномагнитный эффект ..... 194 г) Метод, использующий магнитоконцентрационный эффект ... 197 §12. Исследования скорости поверхностной рекомбинации в зависимости от поверхностного электростатического потенциала ........................................... 199 а) Вводные замечания .................................... 199 б) Методы измерения скорости поверхностной рекомбинации в зависимости от поверхностного потенциала ........... 203 в) Обоснование и определение границ применимости комбинированного метода эффекта поля на больших синусоидальных сигналах и квазистационарной фотопроводимости ..................................... 212 §13. Исследования процессов захвата и поверхностной рекомбинации методами частотной зависимости и релаксации поверхностной проводимости и фотопроводимости ..................................... 219 а) Частотная зависимость эффекта поля на синусоидальном напряжении ............................ 219 б) Релаксационные процессы при эффекте поля на прямоугольных импульсах напряжения ................... 224 в) Релаксация избыточной проводимости при фотовозбуждении ...................................... 228 Глава III. Некоторые специальные методы исследования строения поверхности полупроводников и поверхностных электронных процессов ..................................... 230 §14. Методы исследования строения поверхности полупроводников ...................................... 230 §15. Оптические методы исследования ....................... 233 Глава IV. Поверхностное рассеяние носителей заряда ......... 249 §16. Диффузное и зеркальное рассеяние носителей заряда поверхностью полупроводника и поверхностная подвижность .......................................... 249 §17. Роль поверхностных электронных процессов в гальвано-магнитных явлениях ........................ 257 §18. Результаты экспериментальных исследований эффективной поверхностной подвижности носителей заряда ............................................... 261 Глава V. Атомарно-чистая поверхность полупроводников ........ 275 §19. Методы получения атомарно-чистой поверхности полупроводников ...................................... 277 §20. Электрофизические характеристики атомарно-чистых поверхностей полупроводников и влияние на них адсорбции атомов и молекул ........................... 285 Глава VI. Реальная поверхность полупроводников .............. 309 §21. Поверхностный заряд и медленные поверхностные состояния ............................................ 310 §22. Энергетический спектр быстрых поверхностных состояний 333 §23. Определение эффективных сечений захвата носителей заряда поверхностными состояниями из данных по захвату .............................................. 350 а) Частотная зависимость эффекта поля на малом синусоидальном напряжении ............................ 351 б) Релаксация проводимости при воздействии малых импульсных поперечных электрических полей ............ 357 в) Релаксация проводимости при воздействии больших импульсных поперечных электрических полей ............ 359 §24. Исследования поверхностных состояний фотоэлектрическими методами .......................... 372 §25. Результаты исследований поверхностной рекомбинации в германии и кремнии .................... 386 §26. Изменения электронной структуры поверхности германия при некоторых внешних воздействиях .......... 405 §27. Строение реальной поверхности германия и физико-химическая природа поверхностных состояний .... 439 Литература ........................................... 467 Список основных обозначений .......................... 477