Член-корреспондент РАН (2019), доктор физико-математических наук (2005), профессор. Физик. Специалист в области физики полупроводников и нанотехнологии.

Окончил физический факультет Новосибирского государственного университета (1971). С 1972 г. – сотрудник Института физики полупроводников Сибирского отделения АН СССР (стажер-исследователь, аспирант, младший научный сотрудник, старший научный сотрудник). С 1992 г. — заведующий лабораторией физики и технологии трехмерных наноструктур Института физики полупро­вод­ников им. А. В. Ржанова СО РАН (ИФП СО РАН).

Создал физические основы оригинальной российской нанотехнологии высокого уровня, положившей начало мировому направлению в разработке и изготовлении наноприборов, наноматериалов и устройств – от трубчатых микролазеров, метаматерилов, неотражающих покрытий, до устройств на чипе.