КОНСТРУКТОРСКО-
ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНОЙ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ (КТИПМ) (филиал Института физики полупроводников им. А.В.Ржанова СО РАН)
630090, Новосибирск, пр. Ак. Лаврентьева, 2/1
Факс: +7(383) 316-57-26
E-mail: ktipm@amel.oesd.ru
Историческая справка: Специальное конструкторско-технологическое бюро специальной электроники и аналитического приборостроения (СКТБ СЭиАП) основано в 1980 г. (постановление Президиума СО АН СССР N 29 от 01.02.1980 г.) на базе Отдела главного конструктора Опытного завода Сибирского отделения.
Преобразовано в 1990 г. в Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники (постановление Президиума СО АН СССР N 532 от 22.11.90 г., постановление Президиума РАН N 215 от 26.12.97 г.). В 2005 г. КТИПМ присоединен к Институту физики полупроводников СО РАН в качестве филиала (постановление Президиума РАН N 274 от 29.11.05 г.).
Основные направления научных исследований: тепловидение, ночное видение, спектрорадиометрия; научное приборостроение.
| Источники: |
|
|
| Дополнительные материалы: |
|
|
| Из газеты «Наука в Сибири»: |
- Журавлев П. В. Новые разработки — в традициях института: беседа с директором КТИПМ, канд. техн. наук П. В. Журавлевым / П. В. Журавлев; подгот. Д. Федорцев // Наука в Сибири. 2004. N 19. С. 4.
|
| Фотоматериалы: |
|
|
| 
