630090, г. Новосибирск,
пр. Ак. Лаврентьева, 13
Тел.: +7(383) 333-27-66
Факс: +7(383) 333-27-71
E-mail: ifp@isp.nsc.ru
www: https://www.isp.nsc.ru/

Историческая справка: Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук был создан 24 апреля 1964 г. на основе объединения Института физики твердого тела и полупроводниковой электроники СО АН СССР и Института радиофизики и электроники СО АН СССР (постановление Президиума АН СССР N 49 от 24.04.64 г.). В 1990 г. Институт стал головным в Объединенном институте физики полупроводников (ОИФП) в составе Института физики полупроводников и Конструкторско-технологического института прикладной микроэлектроники СО РАН, в 1996 г. в состав ОИФП был введен Институт сенсорной микроэлектроники СО РАН (г. Омск) (постановление Президиума СО АН СССР N 532 от 22.11.90 г., постановление СО РАН N 215 от 26.12.97 г.) В 2003 г. постановлением Президиума РАН N 224 от 1.07.03 г. Институт физики полупроводников Объединенного института физики полупроводников реорганизован в Институт физики полупроводников СО РАН путем присоединения к нему Института сенсорной микроэлектроники СО РАН в качестве филиала. В 2005 г. постановлением Президиума РАН N 274 от 29.11.05 г. к ИФП СО РАН присоединен Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники, который в настоящее время является филиалом ИФП СО РАН. В 2006 г. постановлением Президиума РАН N 400 от 26.12.06 г. Институту присвоено имя академика А.В. Ржанова. В 2007 г. постановлением Президиума РАН N 274 от 18.12.07 г. Институт переименован в Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН. Постановлением Президиума РАН N 262 от 13.12.11 г. Институт переименован в Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН. Постановлением Президиума СО РАН N 440 от 14.12.12 г. в целях совершенствования структуры Института Омский филиал Федерального государственного бюджетного учреждения науки Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН исключен из состава Института. В соответствии с Федеральным законом N 253-ФЗ от 27.09.13 г. и распоряжением Правительства РФ N 2591-р от 30.12.13 г. Институт передан в ведение Федерального агентства научных организаций (ФАНО России). Согласно Указу Президента РФ N 215 от 15.05.2018 ФАНО упразднено, а его функции переданы Министерству науки и высшего образования РФ.

Основные направления научных исследований:

• Физика конденсированного состояния, физика полупроводников и диэлектриков, физика низкоразмерных систем.
• Элементная база микроэлектроники, наноэлектроники, квантовых компьютеров, физико-химические основы технологий микроэлектроники, наноэлектроники, оптоэлектроники, акустоэлектроники, микросенсорики.
• Оптика, лазерная физика, квантовая электроника.