634055, г. Томск,
пр. Академический, 2/3
Тел.: +7 (3822) 491-544
Факс: +7 (3822) 492-410
E-mail: contact@hcei.tsc.ru
www: http://www.hcei.tsc.ru

Историческая справка: Учреждение Российской академии наук Институт сильноточной электроники Сибирского отделения РАН  организован как Институт сильноточной электроники Сибирского отделения академии наук СССР постановлением Госкомитета СССР по науке и технике N 36 от 28.06.77 г. и постановлением Президиума Сибирского отделения АН СССР N 427 от 20.09.77 г.

С 2011 года в соответствии с постановлением Президиума РАН N 262 от 13.12.11 г. – Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сильноточной электроники Сибирского отделения Российской академии наук. В соответствии с Федеральным законом N 253-ФЗ от 27.09.13 г. и распоряжением Правительства РФ N 2591-р от 30.12.13 г. Институт передан в ведение Федерального агентства научных организаций (ФАНО России). Согласно Указу Президента РФ N 215 от 15.05.2018 ФАНО упразднено, а его функции переданы Министерству науки и высшего образования РФ.

Основные направления научных исследований:

• фундаментальные проблемы физической электроники, в том числе сильноточной электроники и разработка на их основе новых приборов, устройств и технологий;
• современные проблемы физики плазмы, включая физику низкотемпературной плазмы и основы ее применения в технологических процессах.