Краткая аннотация к ежегоднику .................................. 2
Краткая историческая справка об Институте ....................... 3
Основные научные направления .................................... 4
Программа II.8.1 ................................................ 4
Программа II.8.2 ................................................ 5
Программа II.8.3 ................................................ 5
Программа II.9.4 ................................................ 5
Программа II.10.2 ............................................... 6
Программа II.11.1 ............................................... 6
Экспериментальная реализация встроенного р-n перехода в 3D
   топологическом изоляторе Bi2Te3 ............................. 10
Магнитоемкостная спектроскопия трехмерного топологического
   изолятора ................................................... 11
Гигантское спиновое расщепление Рашбы в полупроводниковых 
   соединениях BiTeX (X = I, Br, Сl): спиновая поляризация в 
   немагнитных материалах как основа нового поколения
   структур для спинтроники .................................... 12
Квантовый транспорт в проволоках TiN ........................... 13
Подвижность дираковских электронов в HgTe квантовых ямах ....... 14
Фононный спектр пластинок CdSe/CdS различной морфологии ........ 15
Усиление фототока дырок в слоях квантовых точек Ge/Si с 
   резкой гетерограницей ....................................... 16
Спин орбитальное расщепление валентной зоны и зоны 
   проводимости в HgTe квантовых ямах вблизи дираковской 
   точки ....................................................... 18
Слабая антилокализация в трехмерном топологическом изоляторе 
   на основе высоко-подвижной пленки HgTe ...................... 19
Длинноволновое стимулированное излучение в квантовых ямах 
   HgTe/HgCdTe ................................................. 19
Безмассовые 3D кейновские фермионы в HgCdTe .................... 20
Акустоэкситонное взаимодействие в газе двумерных непрямых 
   дипольных экситонов в присутствии беспорядка ................ 22
Циркулярный фотогальванический эффект, вызванный переходами
   между краевыми и двумерными состояниями двумерного
   топологического изолятора ................................... 22
Разработка полупроводниковых наноструктур с AlInAs
   квантовыми точками для приборов нанофотоники ................ 23
Индуцированные микроволновым излучением состояния с нулевым 
   сопротивлением в двумерной электронной системе с 
   одномерной периодической модуляцией ......................... 24
Неравновесный химический потенциал в двумерном электронном 
   газе в режиме квантового эффекта Холла ...................... 25
Связь между электронным транспортом и механическими 
   колебаниями в наноэлектромеханических системах с двумерным 
   электронным газом ........................................... 27
Получение, кристаллическое строение и энергетический спектр 
   III-Sb/AlAs низкоразмерных гетероструктур ................... 28
Одновременная локализация двух электронов с разными
   g-факторами на одной Ge/Si квантовой точке .................. 29
Локализованные поверхностные плазмоны в структурах с 
   линейными наноантеннами на поверхности SiO2Si ............... 31
Экситон-плазмонное взаимодействие в системе с InAs/AlGaAs KT 
   и литографическими анизотропными наноантеннами .............. 32
Фотопроводимость сверхтонких слоев Ge(GeSn), полученных в Si 
   с помощью низко-температурной молекулярно лучевой 
   эпитаксии ................................................... 33
Транспорт заряда в тонких слоях сегнетоэлектрического 
   Hf0.5Zr0.5O2 ................................................. 35
Спиновая динамика нейтральных экситонов в КЯ GaAs/AlAs ......... 36
Анизотропия магнитоемкости структур на основе пленок PbSnTe:
   In/BaF2 ..................................................... 37
Гигантская отрицательная фотопроводимость структур на основе 
   пленок PbSnTe:In с длинноволновой границей 
   чувствительности около 30 мкм ............................... 38
Квантово-размерный эффект и напряжения в нанокристаллах InSb,
   ионно-синтезированных в термически выращенных плёнках SiO2 
   на кремнии .................................................. 39
Усиление фотолюминесценции в структурах с двойными квантовыми
   точками ..................................................... 41
Структура и длинноволновая фотолюминесценция нанокристаллов
   GeSi, сформированных при высокотемпературных отжигах
   многослойных структур GeO,/SiO2 ............................. 42
Неупругое рассеяние фотоэлектронов на интерфейсе p-GaN(Cs,O) 
   - вакуум и взаимодействие дислокационных и вицинальных
   моноатомных ступеней на поверхности GaAs при релаксации 
   механических напряжений ..................................... 47
Теоретическое изучение взаимосвязи химического строения и
   электронных свойств фторсодержащей границы раздела
   кислород/InAs(111)А ......................................... 49
Гауссово распределение высоты барьера в МОП барьерах Шоттки 
   на КРТ ...................................................... 51
Фотолюминесценция упорядоченных групп SiGe квантовых точек 
   при комнатных температурах ..................................  
Оптическое усиление и квантовая эффективность фотодетекторов
   Ge/Si с квантовыми точками Gen дельта-легированными 
   барьерами Si ................................................ 55
Двумерное зарождение и переход к многослойному росту кремния 
   на поверхности Si(111)-(7×7) при повышенных температурах .... 57
Разработка метода локального легирования примесью р-типа 
   эпитаксиальных слоев InP .................................... 58
Особенности структуры напряженных сверхрешеток GeSiSn- 
   Si(001) ..................................................... 60
Легирование кремния эрбием и кислородом методом имплантации
   атомов отдачи. Дефекты имплантации .......................... 63
Выращивание кристаллов топологического изолятора Bi2Te3 и
   инертные свойства сколотой поверхности (0001) ............... 65
Морфологические изменения поверхности Si(lll) с ультра-
   широкими террасами на начальных стадиях осаждения золота .... 67
Универсальность плоскости {113}в Si для формирования 
   топологических дефектов связей при смешанной кластеризации 
   вакансий и междоузельных атомов ............................. 68
Неравновесная концентрация адатомов на широкой атомно-гладкой
   террасе поверхности Si(l11) ................................. 69
Трансформация морфологии поверхности при высокотемпературном
   отжиге слоев Ge, осаждённых на Si(100) ...................... 70
Структурно-морфологические особенности эпитаксиальных пленок
   A(III)Sb в матрице AlAs ..................................... 71
Исследование двумерных массивов нанокристаллов CdSe методом
   высокоразрешающей электронной микроскопии ................... 73
Экспериментальное наблюдение дислокационных стенок в 
   гетероструктурах с двумя границами раздела: Ge/Ge0.5Si0.5
   10hm/Si(001) ................................................ 76
Структура, напряжения и транспорт в слоях кремния, полученных
   водородным переносом на сапфир с с-ориентацией поверхности .. 77
Киральный метаматериал, сформированный с помощью 3D-печати и 
   теневого напыления металла .................................. 78
Высокая подвижность в квази-подвешенных гетероструктурах 
   мультиграфена на напечатанных слоях оксида графена .......... 80
Монослойные ступени на поверхности слоистых кристаллов как 
   меры высоты ................................................. 81
Условия получения высокой подвижностив напечатанных 
   графеновых слоях ............................................ 82
Изолирующие двухслойные и композитные пленки на основе оксида
   графена и фторографена ...................................... 83
Синтез и исследование свойств монокристаллов перовскита 
   CH3NH3PbJ3 .................................................. 84
Матричные фотоприемники форматом 384×288 для дальнего ИК 
   диапазона 8-10 мкм .......................................... 86
Разработка лавинного фотодиода, чувствительного на длине 
   волны света 1.55 мкм ........................................ 88
Нормально закрытые транзисторы на основе in situ SiN 
   пассивированных AIN/GaN гетеро структур ..................... 89
Гетероструктуры CdHgTe для нового поколения ИК 
   фотоприемников, работающих при повышенных температурах ...... 90
Повышение слабополевой и сильнополевой подвижности электронов 
   в гетероструктурах DA-pHEMT ................................. 91
Разработка технологии изготовления матричных 
   микроболометричеких матриц с размером пикселя 25,17 мкм ..... 92
Разработка физических и технологических принципов
   изготовления неохлаждаемых матричных микроболометрических
   приемников инфракрасного диапазона повышенного формата и 
   исследование путей повышения чувствительности 
   микроболометров в терагерцовом диапазоне .................... 93
Теоретические и экспериментальные исследования возможностей
   интеграции оптических систем многоканальных ОЭПС ............ 95
Моделирование методом Монте-Карло роста Ge на 
   структурированных подложках Si .............................. 96
Исследование атомной электронной структуры кислородных 
   вакансий и поливакансий в Hf0.5Zr0.5O2 ....................... 98
Исследование формы линии резонансов Фёрстера для двух 
   взаимодействующих ридберговских атомов в неупорядоченном
   ансамбле .................................................... 99
Атомная структура поверхности Si(331)-12×l .................... 100
Моделирование методом Монте-Карло роста концентрических 
   наноколец арсенида галлия при капельной эпитаксии .......... 102
Квантовые логические операции с использованием 
   адиабатического прохождения в ансамблях взаимодействующих
   ридберговских атомов ....................................... 103
Численное исследование полимерного электрооптического 
   модулятора с диэлектрическим подслоем для снижения
   управляющего напряжения .................................... 104
Исследование характеристик компактных модулей передатчика и
   приемника одиночных фотонов для генерации квантового 
   ключа в атмосферных линиях связи ........................... 105
Кинетика отражения (пропускания) насыщающихся поглотителей
   на основе полупроводниковых гетероструктура A3В5 с 
   квантовыми ямами ........................................... 106
Индуцированное столкновениями стимулированное фотонное эхо,
   на переходе 0-1 в иттербии и деполяризующие столкновения ... 107
Усиление излучения в сильно легированных AlGaN структурах 
   при оптической накачке ..................................... 109
Исследование лазера на парах меди с возбуждением электронным
   пучком ..................................................... 110
РНК-сенсоры на основе кремниевых нанопроволочных 
   транзисторов	............................................... 111
Эффективная подвижность электронов и ее компоненты в 
   инверсионных слоях полностью обедняемых пленок 
   кремния-на-изоляторе ....................................... 112
Кинетика трансформации пористой структуры при VUV облучении
   пленок на основе диоксида кремния .......................... 113
Моделирование зарождения и рост квантовых точек Ge на Si с 
   использованием высокоэффективных алгоритмов ................ 115
Средства анализа эффективности параллельных программ на 
   распределенных ВС .......................................... 116
Разработка алгоритмов самодиагностики для большемасштабных 
   распределенных вычислительных систем ....................... 116
Исследование оптических характеристик веществ и объектов в
   ТГц-диапазоне и разработка методик контроля объектов в 
   ТГц -диапазоне частот ...................................... 118
Новый подход к использованию метода Блэнда-Алтмана и его 
   применение для оценки согласованности сердечного и 
   дыхательного ритмов у человека и животных .................. 120
Приборные разработки Института ................................ 122
Источник бесперебойного питания для полевых условий
   эксплуатации ............................................... 122
Изготовление матричных фоточувствительных элементов на
   основе многослойных структур GaAs/AlGaAs с квантовыми 
   ямами ...................................................... 123
Фотоприемное устройство на основе многоэлементных приемников 
   на основе многослойных структур GaAs/AlGaAs с квантовыми 
   ямами ...................................................... 124
Электроуправляемый широкоспектральный объектив с жидкостными
   оптическими компонентами ................................... 125
Испытательный стенд для исследования и юстировки оптико-
   электронных приборов ИК-диапазона .......................... 126
Гетероструктуры кремний-на-сапфире с ультратонкими и тонкими
   слоями кремния ............................................. 127
Получение р-n переходов с заданной глубиной залегания в 
   эпитаксиальных слоях InP методом локального легирования 
   при диффузии цинка ......................................... 128
Лазерный эллипсометр ЛЭФ-777 для пооперационного
   технологического контроля в микро- и наноэлектронике ....... 129
Список основных публикаций сотрудников Института за 2016 год .. 131
Монографии и учебные пособия .................................. 153
Приглашенные доклады .......................................... 154
Гранты Российского научного фонда ............................. 162
Гранты Президента РФ по государственной поддержке ведущих 
   научных школ ............................................... 162
Участие Института в программах Министерства образования и
   науки РФ ................................................... 162
Участие Института в программах фундаментальных исследований 
   РАН и СО РАН ............................................... 163
Гранты Российского фонда фундаментальных исследований ......... 164
Совместные гранты РФФИ ........................................ 167
Международные гранты .......................................... 168
Гранты и премии молодым ученым Института 2014 года ............ 168
Договоры о научном сотрудничестве с научными организациями
   зарубежных стран ........................................... 168
Контракты и договоры с фирмами ................................ 169
Партнерские соглашения ........................................ 169
Международные связи ........................................... 170
Участие в программных и организационных комитетах
   конференций и научных мероприятий .......................... 170
Участие в Международных организациях .......................... 171
Премии и награды 2016 года .................................... 172
Кадровый состав ............................................... 175
Дирекция Института ............................................ 175
Ученый совет Института ........................................ 175
Базовые кафедры в вузах, научно-учебные центры ................ 176
Диссертационный совет ......................................... 178
Защищенные диссертации ........................................ 178
Оглавление .................................................... 179